标签：产业应用

氮化镓（GaN）作为第三代半导体核心材料，近期在光电领域取得突破性进展。其独特的宽禁带特性大幅提升了紫外探测器、激光器等器件的响应速度与稳定性，为传感器技术革新注入新动能。 核心技术突破解析 材料结构优化新进展 通过金属有机化学气相沉积（M...