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GaN与SiC材料：第三代半导体的核心驱动力揭秘

当手机充电器越做越小，电动车续航越来越长，背后藏着GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）两种材料的革命性突破。它们凭借更高效率、更强耐压和更快开关的特性，正在重塑电力电子系统的未来格局。一、第三代半导体的超能力来源材料性能的跨代飞跃与传统...