碳化硅延伸800V供电纵深,英飞凌联手伊顿改写功率链版图
本周半导体功率链路出现两处值得注意的“结构性位移”:一是SiC(碳化硅)从器件级应用向系统级架构(800VDC固态变压器)纵深延伸,二是AI服务器需求把台湾PCB产值推向“兆元新台币”门槛。前者改变的是供电拓扑与选型逻辑,后者改变的是载板与...

电子元器件网本周半导体功率链路出现两处值得注意的“结构性位移”:一是SiC(碳化硅)从器件级应用向系统级架构(800VDC固态变压器)纵深延伸,二是AI服务器需求把台湾PCB产值推向“兆元新台币”门槛。前者改变的是供电拓扑与选型逻辑,后者改变的是载板与...
本周半导体功率链路出现两处值得注意的“结构性位移”:一是SiC(碳化硅)从器件级应用向系统级架构(800VDC固态变压器)纵深延伸,二是AI服务器需求把台湾PCB产值推向“兆元新台币”门槛。前者改变的是供电拓扑与选型逻辑,后者改变的是载板与...
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