标签：第三代半导体

随着新能源汽车普及，充电桩功率密度与效率需求持续攀升。第三代半导体材料（如碳化硅、氮化镓）凭借其物理特性，正推动充电桩核心电路设计的技术跃迁。本文将解析其在功率转换、散热管理及系统可靠性中的关键突破。 功率转换模块的效率革命 传统硅基IGB...

氮化镓（GaN）作为第三代半导体核心材料，近期在光电领域取得突破性进展。其独特的宽禁带特性大幅提升了紫外探测器、激光器等器件的响应速度与稳定性，为传感器技术革新注入新动能。 核心技术突破解析 材料结构优化新进展 通过金属有机化学气相沉积（M...