本期早报聚焦三条主线：一是SiC衬底产能过剩进入价格修复窗口，2027年6英寸衬底价格有望回升，对功率器件选型节奏构成影响；二是全球MLCC高端市场再起波澜，ETF资本工具与国产头部厂商的“贴牌”质疑同频出现，高端料号供应链成色待验；三是折叠屏整机轻薄化竞赛与端侧AI低功耗方案并行推进，小型化、低功耗器件选型权重持续抬升。
行业新闻
- SiC衬底产能扩张延续，6英寸衬底价格预计2027年反弹。据DIGITIMES观察，近年电动汽车市场扩张带动SiC功率器件需求快速攀升，引发SiC衬底厂商大规模扩产。但产能持续激增的同时，车规SiC器件实际需求不及预期，供需失衡导致SiC衬底价格此前承压。DIGITIMES预计6英寸衬底价格有望在2027年迎来反弹。
本站视角：对采购而言，当前衬底价格低位窗口对应SiC MOSFET与二极管成本下行周期，可适度放宽对国产SiC器件料号的导入验证预算；但2027年价格反弹预期意味着需提前锁定车规级长单，尤其是6英寸产线对应的成熟平台料号供应。 - 苹果折叠屏手机将轻薄与减重置于设计核心。据DIGITIMES报道，苹果首款折叠屏手机将全球注意力聚焦到智能手机设计权衡上，重量、厚度与元器件小型化成为消费者与竞争对手的共同标尺。行业普遍预期未来手机将更轻、更薄、也更贵。
本站视角：折叠屏结构对柔性FPC、超薄电容、微型连接器等小型化器件的选型提出更高密度与更低公差要求。工程选型需提前评估国产超薄料号的弯折寿命与温升一致性，避免整机轻薄化趋势下被动器件成为可靠性短板。 - 印度东部邦批准SiCSem在特别经济区内建设SiC器件工厂。据DIGITIMES报道，法尔塔特别经济区单位审批委员会已批准SiCSem Private Limited的提案，拟在布巴内斯瓦尔附近建设一座SiC集成器件工厂，项目投资340.6亿卢比（约3.55亿美元），预计直接雇佣约1270人。
本站视角：印度在SiC产业链的落子提速，显示全球功率半导体供应格局正从“东亚集中”走向“多点布局”。对于以成本与供应安全双指标考核的采购团队，可关注印度工厂对SiC分立器件与模块全球报价体系的边际影响，但对当地良率爬坡周期应保持中性预期。
新品发布
- Global X推出聚焦亚洲头部MLCC企业的ETF产品。据Korea JoongAng Daily报道，Global X已启动一只目标为亚洲领先MLCC厂商的ETF。该产品将覆盖亚洲主要MLCC制造商，为资本市场提供参与高端被动元件供应链的配置工具。
本站视角：ETF的推出侧面印证亚洲MLCC厂商在全球供应链中的核心地位，村田、三星电机、国巨等头部料号供应格局仍是选型基准。对于综合采购而言，高端MLCC的供货稳定性与交期波动仍是选型核心考量，金融工具入场不改料号验证与替代测试的基本流程。
公司动态
- 风华高科回应“高端MLCC外购贴牌”质疑。据搜狐报道，风华高科针对市场传闻“高端MLCC系购买海外产品后贴牌销售”做出回应，否认相关说法。具体回应细节未在素材中进一步披露。
本站视角：国产MLCC向高端料号爬坡的过程中，供应链信任建立是比参数对标更长的过程。工程选型人员在引入国产高容、车规级MLCC替代方案时，宜将产线审计、批次追溯能力与第三方检测报告纳入考核项，以事实验证替代声明的可信度。
活动展会
- BrainChip在北美嵌入式世界展会演示超低功耗边缘AI方案。据The Manila Times报道，BrainChip在Embedded World North America期间展示了其超低功耗边缘AI技术，侧重端侧推理场景下的能耗优化能力。
本站视角：事件型传感器、声纹识别与振动分析等边缘AI应用下沉，意味着MCU与AI加速芯片的功耗预算进一步收紧。选型层面可重点关注支持低功耗待机模式与快速唤醒的SoC/MCU平台，以及配套的微型电源管理器件——这类“功耗+封装”双约束的选型组合将在下半年项目中频繁出现。
本期小结：SiC衬底价格周期正从“产能过剩”转向“2027年反弹”的预期管理，功率器件采购宜把握当前成本窗口并提前锁定6英寸长单；MLCC高端领域，资本工具与“贴牌”质疑并存，高端料号替代仍需产线审计与批次数据说话；折叠屏轻薄化与边缘AI低功耗双线推进，小型化与低功耗器件的选型校准窗口已开启。
