为何传统储能方案难以满足下一代集成电路需求?
随着智能设备对算力与能效的要求指数级增长,传统平面电容结构已接近物理极限。国际半导体技术路线图(IRDS)预测,到2028年先进制程芯片的瞬时功率密度可能突破现有储能器件承载能力(来源:IRDS, 2023)。这一瓶颈催生了纳米级开关电容技术的加速发展。
随着智能设备对算力与能效的要求指数级增长,传统平面电容结构已接近物理极限。国际半导体技术路线图(IRDS)预测,到2028年先进制程芯片的瞬时功率密度可能突破现有储能器件承载能力(来源:IRDS, 2023)。这一瓶颈催生了纳米级开关电容技术的加速发展。