标签：功率MOSFET

为什么精心设计的开关电源会在高速切换瞬间意外导通？漏源电容（Cds）这一寄生参数，往往是隐蔽的罪魁祸首。 Cds引发误导通的物理机制 漏源电容存在于所有功率MOSFET的漏极与源极之间。其容量随漏源电压变化呈现非线性特性。 当上管MOSFE...

开关电源设计中，功率MOSFET是核心开关元件。为何精心设计的电路仍会遭遇效率骤降或异常发热？隐藏在MOSFET内部的漏源电容（Cds）往往是罪魁祸首！ 漏源电容的运作机制与危害 电容能量的“无形”消耗 MOSFET每次开关过程中，漏源电容...

您是否在MOSFET设计中遭遇开关损耗问题？准确测量漏源电容是关键步骤，它能帮助优化性能并降低系统风险。本文分享工程师必须掌握的五大实用技巧，基于电子元器件网的行业资源整理而成。 漏源电容的重要性 漏源电容（Cds）是MOSFET的关键寄生...