温度变化显著影响二极管正向电阻特性，进而波及整流电路效率。本文解析热效应的物理机制及其对元器件可靠性的关键作用。
一、正向电阻与温度的基础关系
正向电阻是二极管导通状态的核心参数，其数值随温度升高呈现非线性变化。该现象源于半导体材料的本征特性。
载流子迁移机制
- 温度升高加剧晶格振动
- 多数载流子迁移率下降
- 少数载流子浓度指数级增长
(来源：半导体物理基础理论)
实验数据显示，温度每上升10°C，硅二极管正向压降通常下降约2mV。这种负温度系数特性直接影响能耗计算。
二、热效应的物理机制解析
热效应通过改变载流子行为引发电阻漂移，可能引发热失控连锁反应。
能量壁垒变化
PN结内建电场强度随温度升高而减弱，导致导通阈值降低。载流子跨越势垒所需能量减少，表现为电阻下降。
热积累会使结温持续上升，形成正反馈循环。在整流桥应用中，这种效应可能造成多器件并联时的电流失衡。
三、实际影响与设计应对策略
温度引发的电阻变化直接影响整流效率与器件寿命，需针对性优化散热方案。
关键设计考量
- 选用负温度系数补偿电路
- 优化PCB铜箔散热面积
- 添加导热界面材料
(来源：电力电子设计规范)
在传感器信号调理电路中，二极管温漂可能导致基准电压偏移。采用肖特基二极管等低导通压降器件可缓解该问题。
